・サイズ：2-in、4-in、6-in
・主面方位：a(11-20)、c(0001)、R(-1012)、m(10-10)
製造プロセス
国内外の結晶育成メーカー、基板加工メーカーと提携し、エピレデイ基板をはじめとして、中間加工品、高品質インゴットを提供致します。
1.結晶選定-インゴット加工
| デバイス品質要求に応じたグレード選定、マイクロバブル、転位、エッチピット、不純物、ポリタイプなどの欠陥検査、極性、方位の精密測定後、コア加工を行います。 |
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2.スライス-ベベル加工
| スライスは全工程に影響する重要なプロセスです。結晶面方位に適した角度と方向からマルチワイヤソーで切断します。ベベル（面取り）後、エッジポリッシュも可能です。 |
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3.熱処理
| インゴットまたはウェハーレベル熱処理はバルク結晶特性の維持と回復に有効です。加工基板のそりを最小にするとともに、不純物バーンアウトにより電子分光レベルの清浄度を向上させます。 |
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4.ラップ-ポリッシュ
| トレードオフの関係にある加工変質層を最小とする高速ラッピングとファイン・ポリッシング相互の最適化を図り、研磨時間短縮と高品位基板の両立を目指します。 |
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5.洗浄
切断、研磨、熱処理各工程の前後で酸、アルカリ、有機溶剤を組み合わせて行われます。